Eine Schottky-Diode besitzt einen

   1. Metall-Halbleiter-Übergang
   2. Halbleiter-Halbleiter-Übergang
   3. Metall-Halbleiter-Metall-Übergang

IGFET- Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate   Der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren und ist am genausten bezeichnet als

   1. JFET
   2. IGFET
   3. BJT

Die Anschlüsse des Feldeffekttransistors sind

   1. Kollektor - Basis - Emitter
   2. Source - Gate - Drain
   3. Kathode - Steuerung - Anode

Die Anschlüsse des Bipolartransistors sind

   1. Kollektor - Basis - Emitter
   2. Source - Gate - Drain
   3. Kathode - Steuerung - Anode

Der Pfeil des Bipolartransistor-Symbols ist

   1. am Kollektor
   2. am Emitter
   3. an der Basis

Wenn der Pfeil des Bipolartransistor-Symbols nach aussen zeigt, ist es ein

   1. FET-Transistor
   2. PNP-Transistor
   3. NPN-Transistor

Bei Schottky- und Germanium-Dioden beginnt der Betriebsbereich bei etwa

   1. 0,05 V bis 0,2V
   2. 0,2 V bis 0,4 V.
   3. 0,6V bis 0,7 V.

Die Siliziumdiode hat eine Durchlassspannung von etwa

   1. 0,05 V bis 0,2V
   2. 0,2 V bis 0,4 V.
   3. 0,6V bis 0,7 V.

Zener Dioden werden benutzt

   1. zum Gleichrichten
   2. zur Spannungsstabilisierung
   3. zur Modulation

Für ideale spannungsgesteuerte OPs werden unter anderem folgende idealisierte Parameter angenommen:

   1. Eingangswiderstand unendlich hoch, Ausgangswiderstand null.
   2. Eingangswiderstand unendlich hoch, Ausgangswiderstand nicht so hoch.
   3. Eingangswiderstand nicht so hoch, Ausgangswiderstand null.

**Q11*

**Q12*

**Q13*

**Q14*

**Q15*

**Q16*

**Q17*

**Q18*

**Q19*

**Q20*

**Q21*

**Q22*

**Q23*

**Q24*

**Q25*